כל מה שחם בעולם המחשבים

סמסונג הכריזה על תהליכי ייצור חדשים 11 ננו מטר ו7 ננו מטר

תהליך ייצור של 11 ננו מטר הושג על ידי הקטנה של 10 אחוז מגודל השבב ושיפור של 15 אחוז בביצועים וכל זה עם צריכת חשמל זהה. תהליך הייצור הזה יגיע יחד עם תהליך הייצור של 10 ננו מטר שהוא מיועד לשוק הפרימיום הסלולרי כאשר ה11 ננו מטר מיועד בעיקר לשוק הביניים.

החברה אישרה שהפיתוח של תהליך הייצור ב7 ננו מטר הולך לפי המתוכנן והם מתכוונים להתחיל את הייצור של השבבים בטכנולוגיה הזאת בחצי השני של 2018

7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP will be the first semiconductor process technology to use an EUV lithography solution. 250W of maximum EUV source power, which is the most important milestone for EUV insertion into high volume production, was developed by the collaborative efforts of Samsung and ASML. EUV lithography deployment will break the barriers of Moore’s law scaling, paving the way for single nanometer semiconductor technology generations.

עוד פרטים בנוגע לטכנולוגיה החדשה יגיעו ב15 לספטמבר בכנס של סמסונג.

Leave A Reply

Your email address will not be published.